派恩杰半导体成立于2018年9月，是中国第三代半导体功率器件领先品牌，主营车规级碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓功率器件。公司拥有国内最全碳化硅功率器件产品目录，碳化硅MOSFET与碳化硅SBD产品覆盖各个电压等级与载流能力，均通过AEC-Q101测试认证，可以满足客户的各种应用场景，提供稳定可靠的车规级碳化硅功率器件产品。

派恩杰半导体拥有深厚的技术底蕴和全面的产业链优势，创始人黄兴博士于09年起深耕于碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发，师承IGBT发明人B. Jayant Baliga教授及晶闸管发明人Alex Huang教授。目前，派恩杰半导体在650V、1200V、1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为Tier 1厂商持续稳定供货，且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。

1. 碳化硅二极管（SiC SBD）

SiC SBD（碳化硅肖特基二极管）的反向恢复电荷远小于硅二极管同类产品，并且 SiC SBD可以运行在更高的结温下。因此，SiC SBD在开关电源中能够明显地减少反向恢复损耗和开关噪声，提高开关电源的转换效率，整体功率密度和可靠性。SiC SBD优异的特性可以显著降低电力电子系统的整体成本。

2.碳化硅场效应管（SiC MOSFET）

SiC MOSFET的出现和广泛应用为功率半导体产业和电力电子产业带来了一场影响深远的技术革命。SiC MOSFET在导通电阻，开关损耗，高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度，并使得系统的整体成本降低。因此，在汽车应用，工业应用，通信电源和数据中心，SiC MOSFET正在逐步替代传统的硅基功率器件。派恩杰半导体在650V，1200V，1700V多个电压平台均有量产的分立器件产品，且在不同载流能力和封装形式上，产品目录齐全，可以为客户提供全方位的选择。

3.碳化硅模块（SiC MODULE）

在大功率电力电子变换器应用中，功率模块以其极高的集成度和良好的散热性能，成为业界的主流的解决方案。相比于硅基半导体功率器件，碳化硅MOSFET在导通损耗，开关损耗，最高运行结温和导热性能上，具有明显的优势。因此，基于碳化硅MOSFET的功率模块在近年来受到工业界的广泛关注。碳化硅功率模块在电动汽车上的成功应用，不但增加了电动汽车的续航里程，而且提高了电动汽车的整体可靠性。同时，碳化硅功率模块在工业应用领域，如光伏，储能，电力系统等，也有潜在的竞争力和应用价值。

碳化硅二极管（SiC SBD